供应**碳化硅肖特基二极管

科锐创始人之一兼功率和无线射频(RF)产品研发部门**技术官 John Palmour 指出：“为了开发新一代功率电子产品，设计工程师正在发掘碳化硅肖特基二极管特有的性能优势，包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关损耗以及能在更高频率下工作等，都能支持更低的电磁干扰(EMI)信号。在不影响性能的前提下，该全新系列二极管可以实现比**代碳化硅肖特基二极管更高的电流密度和更强的电子雪崩性能。科锐近期在器件设计方面的**和对工艺改进矢志不渝的努力，让我们能够在降低每安培成本的同时提供更高的额定电流值。”
(1200V肖特基二极管)
HSBR-02A 2A/1200V
HSBR-0** **/1200V
HSBR-08A 8A/1200V
HSBR-10A 10A/1200V
HSBR-1** 1**/1200V
HSBR-20A 20A/1200V
HSBR-50A 50A/1200V